TechInsights副董事長G Dan Hutcheson曾表示，長鑫存儲的策略與1980至90年代南韓企業在記憶體市場的模式相似，當時南韓透過規模化生產壓低成本，最終擠壓日本廠商的市場空間，而如今類似的模式發生在南韓企業身上。（圖片來源／CXMT）
中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）來勢洶洶，憑藉產能擴張與技術升級，在全球 DRAM 市場快速崛起，成為三星、SK 海力士、美光等巨頭的新對手。隨著中國政府的大力支持，長鑫存儲市占率已衝上 5%，並計劃今年挑戰 15 奈米製程，甚至進軍高頻寬記憶體（HBM）領域，加入OpenAI競爭對手「深度求索」（DeepSeek）的供應鏈，顯見其野心勃勃。
然而，美國1月進一步收緊對中國 DRAM 製造設備的出口限制，讓長鑫存儲在技術發展與產能擴張上遭遇挑戰，對三星與 SK 海力士來說，美國的封鎖反而成了「保命符」，讓韓系業者在高階製程競爭上爭取更多時間。
以產能與政府加持壓制價格，長鑫存儲劍指韓系廠商野心勃勃
中國長鑫存儲近年來迅速崛起，積極擴大市占率，成為全球DRAM市場的重要競爭者。憑藉產能提升和技術升級，長鑫存儲正對三星、SK 海力士（SK Hynix）及美光（Micron）等傳統巨頭形成強勁挑戰。
自 2016 年成立以來，長鑫存儲在中國官方的支持下，迅速成長為當地最大的 DRAM 製造商。市場研究機構 SemiAnalysis 指出，其 DRAM 產能從 2022 年的每月 7 萬片晶圓，增至 2023 年的 12 萬片，並預計 2024 年將達到 20 萬片，顯示其快速擴張的野心。
據深圳顧問公司前瞻產業研究院的數據顯示，長鑫存儲在全球約 900 億美元的 DRAM 市場中，市占率已從 2020 年不到 1% 躍升至 2024 年的 5%，成長速度驚人。在規模化生產，以及中國政府發展自給自足政策的加持，導致長鑫存儲本就有一定市場支持，不僅衝擊國際大廠的市場份額，也對 DRAM 價格帶來壓力。
以 16Gb DDR4 為例，現貨價格從 2023 年下半年的 3 美元，上漲至 2024 年上半年的 3.5 美元，但由於消費市場疲軟，價格在下半年回跌至 3.3 美元。
雖然三星在 2024 年第三季的 DRAM 市占率仍高達 41.1%，SK 海力士為 34.4%，顯示市場仍由韓系大廠主導；然而，在技術層面，長鑫存儲持續追趕，除了穩步提升 DRAM 製程技術，還計劃擴展至高頻寬記憶體（HBM）領域，顯示其進一步挑戰市場龍頭的決心。
緊咬韓國DRAM製程，越過17奈米大步邁向15奈米開發
根據韓國媒體報導，長鑫存儲原計劃以17奈米製程量產首款商用DDR5產品，但最終採用了更先進的16奈米技術，進一步提升產品性能與競爭力。同時，公司也在研發下一代15奈米製程，並計劃於2025年完成開發，2026年下半年正式商業化。
研究機構TechInsights拆解中國記憶體品牌Gloway的DDR5模組（16GBx2 DDR5-6000 UDIMM），發現內部搭載16個長鑫存儲生產的16Gb DDR5晶片，確認其已成功進入商業市場。該晶片製程被命名為「G4」，相較前一代18奈米製程（G3），DRAM單元尺寸縮小了20%。
長鑫存儲的技術進步顯示，中國在記憶體領域的製程研發速度加快，並未受美國先進半導體設備出口管制的影響而停滯。儘管美國對EUV（極紫外光）曝光機的出口限制使其難以獲得最新設備，但長鑫存儲仍依靠現有設備持續優化製程，預計G5（15奈米製程）將於2026年推出樣品。
此外，除了標準型DRAM產品，長鑫存儲也將目光投向高頻寬記憶體（HBM）市場，以滿足AI運算日益增長的高效能需求。該公司計劃量產堆疊8層的第二代HBM2，挑戰三星與SK海力士在該領域的主導地位。
同時，長鑫存儲近期也加入OpenAI競爭對手「深度求索」（DeepSeek）的供應鏈，顯示其在AI領域的佈局日趨積極。
目前，三星與SK海力士已開發出15奈米（1z）製程，並朝向12奈米（1b）技術邁進。然而，長鑫存儲透過快速推進17奈米、16奈米，並規劃15奈米技術，使韓中在記憶體技術上的差距逐漸縮小。
美國去中化限制製造設備輸中，給予韓系廠商喘息空間
美國商務部於今年1月15日進一步收緊對中國記憶體製造設備的出口限制，規定25奈米級以上設備的採購受管制，並強化對記憶體線寬、密度及矽穿孔尺寸的限制。此舉幾乎將中國長鑫存儲所有製程納入出口禁令範圍，對其技術發展與產能擴張構成重大挑戰。
富邦投顧在最新研究報告中指出，這一措施將有效放緩中國廠商在DRAM市場的擴張步伐。儘管長鑫存儲已在2025年完成設備採購，但後續參數校正、設備維護與修復將受影響，恐導致DRAM產能增長受限。特別是在LPDDR4X與LPDDR5X方面，缺乏設備支持可能降低良率，延緩供應增長，而DDR5與HBM2E、HBM3的開發計畫亦可能因制裁受阻。
值得關注的是，美國此舉雖打擊了中國記憶體廠商，但對三星與SK海力士而言，倒是形成保護作用。
在韓系廠商逐步減產LPDDR4X與DDR3等成熟產品線之際，長鑫存儲因缺乏美國設備商的技術支援，無法進一步擴大產能，導致成熟DRAM供應增速放緩，有助於降低DRAM市場的價格壓力，川普成為了另類的「保命符」，也為三星與SK海力士提供喘息空間。
中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）來勢洶洶，憑藉產能擴張與技術升級，在全球 DRAM 市場快速崛起，成為三星、SK 海力士、美光等巨頭的新對手。隨著中國政府的大力支持，長鑫存儲市占率已衝上 5%，並計劃今年挑戰 15 奈米製程，甚至進軍高頻寬記憶體（HBM）領域，加入OpenAI競爭對手「深度求索」（DeepSeek）的供應鏈，顯見其野心勃勃。
然而，美國1月進一步收緊對中國 DRAM 製造設備的出口限制，讓長鑫存儲在技術發展與產能擴張上遭遇挑戰，對三星與 SK 海力士來說，美國的封鎖反而成了「保命符」，讓韓系業者在高階製程競爭上爭取更多時間。
以產能與政府加持壓制價格，長鑫存儲劍指韓系廠商野心勃勃
中國長鑫存儲近年來迅速崛起，積極擴大市占率，成為全球DRAM市場的重要競爭者。憑藉產能提升和技術升級，長鑫存儲正對三星、SK 海力士（SK Hynix）及美光（Micron）等傳統巨頭形成強勁挑戰。
自 2016 年成立以來，長鑫存儲在中國官方的支持下，迅速成長為當地最大的 DRAM 製造商。市場研究機構 SemiAnalysis 指出，其 DRAM 產能從 2022 年的每月 7 萬片晶圓，增至 2023 年的 12 萬片，並預計 2024 年將達到 20 萬片，顯示其快速擴張的野心。
據深圳顧問公司前瞻產業研究院的數據顯示，長鑫存儲在全球約 900 億美元的 DRAM 市場中，市占率已從 2020 年不到 1% 躍升至 2024 年的 5%，成長速度驚人。在規模化生產，以及中國政府發展自給自足政策的加持，導致長鑫存儲本就有一定市場支持，不僅衝擊國際大廠的市場份額，也對 DRAM 價格帶來壓力。
以 16Gb DDR4 為例，現貨價格從 2023 年下半年的 3 美元，上漲至 2024 年上半年的 3.5 美元，但由於消費市場疲軟，價格在下半年回跌至 3.3 美元。
雖然三星在 2024 年第三季的 DRAM 市占率仍高達 41.1%，SK 海力士為 34.4%，顯示市場仍由韓系大廠主導；然而，在技術層面，長鑫存儲持續追趕，除了穩步提升 DRAM 製程技術，還計劃擴展至高頻寬記憶體（HBM）領域，顯示其進一步挑戰市場龍頭的決心。
緊咬韓國DRAM製程，越過17奈米大步邁向15奈米開發
根據韓國媒體報導，長鑫存儲原計劃以17奈米製程量產首款商用DDR5產品，但最終採用了更先進的16奈米技術，進一步提升產品性能與競爭力。同時，公司也在研發下一代15奈米製程，並計劃於2025年完成開發，2026年下半年正式商業化。
研究機構TechInsights拆解中國記憶體品牌Gloway的DDR5模組（16GBx2 DDR5-6000 UDIMM），發現內部搭載16個長鑫存儲生產的16Gb DDR5晶片，確認其已成功進入商業市場。該晶片製程被命名為「G4」，相較前一代18奈米製程（G3），DRAM單元尺寸縮小了20%。
長鑫存儲的技術進步顯示，中國在記憶體領域的製程研發速度加快，並未受美國先進半導體設備出口管制的影響而停滯。儘管美國對EUV（極紫外光）曝光機的出口限制使其難以獲得最新設備，但長鑫存儲仍依靠現有設備持續優化製程，預計G5（15奈米製程）將於2026年推出樣品。
此外，除了標準型DRAM產品，長鑫存儲也將目光投向高頻寬記憶體（HBM）市場，以滿足AI運算日益增長的高效能需求。該公司計劃量產堆疊8層的第二代HBM2，挑戰三星與SK海力士在該領域的主導地位。
同時，長鑫存儲近期也加入OpenAI競爭對手「深度求索」（DeepSeek）的供應鏈，顯示其在AI領域的佈局日趨積極。
目前，三星與SK海力士已開發出15奈米（1z）製程，並朝向12奈米（1b）技術邁進。然而，長鑫存儲透過快速推進17奈米、16奈米，並規劃15奈米技術，使韓中在記憶體技術上的差距逐漸縮小。
美國去中化限制製造設備輸中，給予韓系廠商喘息空間
美國商務部於今年1月15日進一步收緊對中國記憶體製造設備的出口限制，規定25奈米級以上設備的採購受管制，並強化對記憶體線寬、密度及矽穿孔尺寸的限制。此舉幾乎將中國長鑫存儲所有製程納入出口禁令範圍，對其技術發展與產能擴張構成重大挑戰。
富邦投顧在最新研究報告中指出，這一措施將有效放緩中國廠商在DRAM市場的擴張步伐。儘管長鑫存儲已在2025年完成設備採購，但後續參數校正、設備維護與修復將受影響，恐導致DRAM產能增長受限。特別是在LPDDR4X與LPDDR5X方面，缺乏設備支持可能降低良率，延緩供應增長，而DDR5與HBM2E、HBM3的開發計畫亦可能因制裁受阻。
值得關注的是，美國此舉雖打擊了中國記憶體廠商，但對三星與SK海力士而言，倒是形成保護作用。
在韓系廠商逐步減產LPDDR4X與DDR3等成熟產品線之際，長鑫存儲因缺乏美國設備商的技術支援，無法進一步擴大產能，導致成熟DRAM供應增速放緩，有助於降低DRAM市場的價格壓力，川普成為了另類的「保命符」，也為三星與SK海力士提供喘息空間。
TechInsights副董事長G Dan Hutcheson曾表示，長鑫存儲的策略與1980至90年代南韓企業在記憶體市場的模式相似，當時南韓透過規模化生產壓低成本，最終擠壓日本廠商的市場空間，而如今類似的模式發生在南韓企業身上。（圖片來源／CXMT）
中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）來勢洶洶，憑藉產能擴張與技術升級，在全球 DRAM 市場快速崛起，成為三星、SK 海力士、美光等巨頭的新對手。隨著中國政府的大力支持，長鑫存儲市占率已衝上 5%，並計劃今年挑戰 15 奈米製程，甚至進軍高頻寬記憶體（HBM）領域，加入OpenAI競爭對手「深度求索」（DeepSeek）的供應鏈，顯見其野心勃勃。
然而，美國1月進一步收緊對中國 DRAM 製造設備的出口限制，讓長鑫存儲在技術發展與產能擴張上遭遇挑戰，對三星與 SK 海力士來說，美國的封鎖反而成了「保命符」，讓韓系業者在高階製程競爭上爭取更多時間。
以產能與政府加持壓制價格，長鑫存儲劍指韓系廠商野心勃勃
中國長鑫存儲近年來迅速崛起，積極擴大市占率，成為全球DRAM市場的重要競爭者。憑藉產能提升和技術升級，長鑫存儲正對三星、SK 海力士（SK Hynix）及美光（Micron）等傳統巨頭形成強勁挑戰。
自 2016 年成立以來，長鑫存儲在中國官方的支持下，迅速成長為當地最大的 DRAM 製造商。市場研究機構 SemiAnalysis 指出，其 DRAM 產能從 2022 年的每月 7 萬片晶圓，增至 2023 年的 12 萬片，並預計 2024 年將達到 20 萬片，顯示其快速擴張的野心。
據深圳顧問公司前瞻產業研究院的數據顯示，長鑫存儲在全球約 900 億美元的 DRAM 市場中，市占率已從 2020 年不到 1% 躍升至 2024 年的 5%，成長速度驚人。在規模化生產，以及中國政府發展自給自足政策的加持，導致長鑫存儲本就有一定市場支持，不僅衝擊國際大廠的市場份額，也對 DRAM 價格帶來壓力。
以 16Gb DDR4 為例，現貨價格從 2023 年下半年的 3 美元，上漲至 2024 年上半年的 3.5 美元，但由於消費市場疲軟，價格在下半年回跌至 3.3 美元。
雖然三星在 2024 年第三季的 DRAM 市占率仍高達 41.1%，SK 海力士為 34.4%，顯示市場仍由韓系大廠主導；然而，在技術層面，長鑫存儲持續追趕，除了穩步提升 DRAM 製程技術，還計劃擴展至高頻寬記憶體（HBM）領域，顯示其進一步挑戰市場龍頭的決心。
緊咬韓國DRAM製程，越過17奈米大步邁向15奈米開發
根據韓國媒體報導，長鑫存儲原計劃以17奈米製程量產首款商用DDR5產品，但最終採用了更先進的16奈米技術，進一步提升產品性能與競爭力。同時，公司也在研發下一代15奈米製程，並計劃於2025年完成開發，2026年下半年正式商業化。
研究機構TechInsights拆解中國記憶體品牌Gloway的DDR5模組（16GBx2 DDR5-6000 UDIMM），發現內部搭載16個長鑫存儲生產的16Gb DDR5晶片，確認其已成功進入商業市場。該晶片製程被命名為「G4」，相較前一代18奈米製程（G3），DRAM單元尺寸縮小了20%。
長鑫存儲的技術進步顯示，中國在記憶體領域的製程研發速度加快，並未受美國先進半導體設備出口管制的影響而停滯。儘管美國對EUV（極紫外光）曝光機的出口限制使其難以獲得最新設備，但長鑫存儲仍依靠現有設備持續優化製程，預計G5（15奈米製程）將於2026年推出樣品。
此外，除了標準型DRAM產品，長鑫存儲也將目光投向高頻寬記憶體（HBM）市場，以滿足AI運算日益增長的高效能需求。該公司計劃量產堆疊8層的第二代HBM2，挑戰三星與SK海力士在該領域的主導地位。
同時，長鑫存儲近期也加入OpenAI競爭對手「深度求索」（DeepSeek）的供應鏈，顯示其在AI領域的佈局日趨積極。
目前，三星與SK海力士已開發出15奈米（1z）製程，並朝向12奈米（1b）技術邁進。然而，長鑫存儲透過快速推進17奈米、16奈米，並規劃15奈米技術，使韓中在記憶體技術上的差距逐漸縮小。
美國去中化限制製造設備輸中，給予韓系廠商喘息空間
美國商務部於今年1月15日進一步收緊對中國記憶體製造設備的出口限制，規定25奈米級以上設備的採購受管制，並強化對記憶體線寬、密度及矽穿孔尺寸的限制。此舉幾乎將中國長鑫存儲所有製程納入出口禁令範圍，對其技術發展與產能擴張構成重大挑戰。
富邦投顧在最新研究報告中指出，這一措施將有效放緩中國廠商在DRAM市場的擴張步伐。儘管長鑫存儲已在2025年完成設備採購，但後續參數校正、設備維護與修復將受影響，恐導致DRAM產能增長受限。特別是在LPDDR4X與LPDDR5X方面，缺乏設備支持可能降低良率，延緩供應增長，而DDR5與HBM2E、HBM3的開發計畫亦可能因制裁受阻。
值得關注的是，美國此舉雖打擊了中國記憶體廠商，但對三星與SK海力士而言，倒是形成保護作用。
在韓系廠商逐步減產LPDDR4X與DDR3等成熟產品線之際，長鑫存儲因缺乏美國設備商的技術支援，無法進一步擴大產能，導致成熟DRAM供應增速放緩，有助於降低DRAM市場的價格壓力，川普成為了另類的「保命符」，也為三星與SK海力士提供喘息空間。
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